库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1800 | ￥6.593746 | ￥11868.74 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | SuperFET® II |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.3 欧姆 @ 800mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 160µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 355 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 27.8W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | I-PAK |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装: | 1,800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD2HNK60Z-1 | STMicroelectronics | ¥12.06000 | 类似 |
| STU2LN60K3 | STMicroelectronics | ¥8.68000 | 类似 |
| STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics | ¥15.82000 | 类似 |
| STU2N80K5 | STMicroelectronics | ¥10.83000 | 类似 |
FCU4300N80Z
型号：FCU4300N80Z
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
库存：0
单价：
| 1800+： | ￥6.593746 |
货期：1-2天
+ -
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