SIZ328DT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ328DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
规格说明书:
SIZ328DT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.591597 8.59
10 7.562097 75.62
100 5.797898 579.79

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET® Gen IV
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.1A(Ta),25.3A(Tc),15A(Ta),30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 @ 5A,10V,10 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.9nC @ 10V,11.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 325pF @ 10V,600pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.9W(Ta),15W(Tc),3.6W(Ta),16.2W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power33(3x3)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDPC8016S onsemi ¥14.28000 类似

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SIZ328DT-T1-GE3

型号:SIZ328DT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

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1+: ¥8.591597
10+: ¥7.562097
100+: ¥5.797898
500+: ¥4.583312
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