STB24NM60N

制造商编号:
STB24NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
规格说明书:
STB24NM60N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 65.698984 65.70
10 58.981126 589.81
100 48.326178 4832.62

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXTA24N65X2 IXYS ¥43.01000 类似
IPB60R199CPATMA1 Infineon Technologies ¥40.32000 类似
SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies ¥55.29000 类似

客服

购物车

STB24NM60N

型号:STB24NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥65.698984
10+: ¥58.981126
100+: ¥48.326178
500+: ¥41.139351
1000+: ¥39.427099

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥65.70