货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.066223 | ¥3.07 |
3000 | ¥0.529533 | ¥1588.60 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 50 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 160mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4 欧姆 @ 100mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 25 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-523 |
封装/外壳: | SOT-523 |
标准包装: | 3,000 |
DMN55D0UT-7
型号:DMN55D0UT-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
库存:0
单价:
1+: | ¥3.066223 |
3000+: | ¥0.529533 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.07