RGW80TK65DGVC11

制造商编号:
RGW80TK65DGVC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
规格说明书:
RGW80TK65DGVC11说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 29.119421 29.12
10 26.134121 261.34
100 21.414338 2141.43

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 39 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,40A
功率 - 最大值: 81 W
开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 110 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns
测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 92 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装: TO-3PFM
标准包装: 450

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RGW80TK65DGVC11

型号:RGW80TK65DGVC11

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

库存:0

单价:

1+: ¥29.119421
10+: ¥26.134121
100+: ¥21.414338
500+: ¥18.229603
1000+: ¥15.54016

货期:1-2天

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