SI4834BDY-T1-GE3

制造商编号:
SI4834BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
规格说明书:
SI4834BDY-T1-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO4842 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.91000 类似

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SI4834BDY-T1-GE3

型号:SI4834BDY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

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