库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.630902 | ￥24.63 |
| 10 | ￥22.132998 | ￥221.33 |
| 100 | ￥17.787963 | ￥1778.80 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | UniFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.2A（Ta），9.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 200 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 960 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.1W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
FDMC2610
型号：FDMC2610
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥24.630902 |
| 10+： | ￥22.132998 |
| 100+： | ￥17.787963 |
| 500+： | ￥14.614617 |
| 1000+： | ￥13.28604 |
| 3000+： | ￥13.286103 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.63