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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | SIPMOS® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A，2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 120 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 20µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 15.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 340pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | PG-DSO-8 |
| 标准包装: | 2,500 |
BSO612CVGHUMA1
型号：BSO612CVGHUMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
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