DMC67D8UFDBQ-13

制造商编号:
DMC67D8UFDBQ-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
规格说明书:
DMC67D8UFDBQ-13说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10000 1.180369 11803.69

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 390mA(Ta),2.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4Ohm @ 500mA,10V,72mOhm @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA,1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 41pF @ 25V,443pF @ 16V
功率 - 最大值: 580mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: U-DFN2020-6(B 类)
标准包装: 10,000

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DMC67D8UFDBQ-13

型号:DMC67D8UFDBQ-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

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