BYG21M R3G

制造商编号:
BYG21M R3G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
规格说明书:
BYG21M R3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.490324 6.49
10 5.537912 55.38
100 4.138514 413.85

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 1.5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 120 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 13pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 1,800

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BYG21M R3G

型号:BYG21M R3G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

库存:0

单价:

1+: ¥6.490324
10+: ¥5.537912
100+: ¥4.138514
500+: ¥3.251403
1800+: ¥2.512427
3600+: ¥2.290736
5400+: ¥2.142938
12600+: ¥2.015295

货期:1-2天

+ -

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