JAN1N757D-1

制造商编号:
JAN1N757D-1
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
规格说明书:
JAN1N757D-1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
121 54.62322 6609.41

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/127
包装: 散装
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V
容差: ±1%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5239B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.46000 类似

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型号:JAN1N757D-1

品牌:Microchip微芯

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