RSQ030P03TR

制造商编号:
RSQ030P03TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
规格说明书:
RSQ030P03TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TSMT6(SC-95)
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO6415 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.22000 类似
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated ¥3.76000 类似
ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated ¥6.37000 类似

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RSQ030P03TR

型号:RSQ030P03TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

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