IRFR120ATM

制造商编号:
IRFR120ATM
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA
规格说明书:
IRFR120ATM说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 200 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 480 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),32W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FQD13N10TM onsemi ¥6.30000 类似

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型号:IRFR120ATM

品牌:ON安森美

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