SI3911DV-T1-E3

制造商编号:
SI3911DV-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
规格说明书:
SI3911DV-T1-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 145 毫欧 @ 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 450mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 830mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
标准包装: 3,000

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SI3911DV-T1-E3

型号:SI3911DV-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

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