APT20M38BVRG

制造商编号:
APT20M38BVRG
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 200V 67A TO247
规格说明书:
APT20M38BVRG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
40 120.845108 4833.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS V®
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 67A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 225 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6120 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 370W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 [B]
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFH70N20Q3 IXYS ¥102.06000 类似
IRFP260MPBF Infineon Technologies ¥24.88000 类似

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APT20M38BVRG

型号:APT20M38BVRG

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 200V 67A TO247

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