TK14C65W5,S1Q

制造商编号:
TK14C65W5,S1Q
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
规格说明书:
TK14C65W5,S1Q说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 690µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1300 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 130W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 50

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TK14C65W5,S1Q

型号:TK14C65W5,S1Q

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK

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