库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 300 | ￥68.586322 | ￥20575.90 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | GenX3™, XPT™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 86 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 195 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值: | 300 W |
| 开关能量: | 800µJ（开），700µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 68 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 20ns/140ns |
| 测试条件: | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 37 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装: | TO-3P |
| 标准包装: | 30 |
IXYQ40N65B3D1
型号：IXYQ40N65B3D1
品牌：IXYS艾赛斯
描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
库存：0
单价：
| 300+： | ￥68.586322 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00