TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor台湾积体电路分立半导体产品数据表库存价格-壹方微芯

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货期： 8周-10周

封装： 卷带（TR）

属性	参数值
制造商:	Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列:	-
包装:	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	51.42 pF @ 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装:	3,000

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