IRF9Z34STRLPBF

制造商编号:
IRF9Z34STRLPBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
规格说明书:
IRF9Z34STRLPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.294753 18.29
10 16.475536 164.76
100 13.239702 1323.97

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),88W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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IRF9Z34STRLPBF

型号:IRF9Z34STRLPBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥18.294753
10+: ¥16.475536
100+: ¥13.239702
800+: ¥10.877695
1600+: ¥9.323747

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