APTGF25A120T1G

制造商编号:
APTGF25A120T1G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1
规格说明书:
APTGF25A120T1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 40 A
功率 - 最大值: 208 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.65 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP1
供应商器件封装: SP1
标准包装: 1

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APTGF25A120T1G

型号:APTGF25A120T1G

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1

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