1H4G-TP

制造商编号:
1H4G-TP
制造商:
MCC美微科
描述:
DIODE HI EFF R-2
规格说明书:
1H4G-TP说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: MCC(美微科)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: R-1,轴向
供应商器件封装: R-1
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 5,000

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1H4G-TP

型号:1H4G-TP

品牌:MCC美微科

描述:DIODE HI EFF R-2

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