SIZ250DT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ250DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
规格说明书:
SIZ250DT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.033845 11.03
10 9.882586 98.83
100 7.706707 770.67

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET® Gen IV
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),38A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12.2 毫欧 @ 10A,10V,12.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 840pF @ 30V,790pF @ 30V
功率 - 最大值: 4.3W(Ta),33W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-PowerPair®(3.3x3.3)
标准包装: 3,000

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SIZ250DT-T1-GE3

型号:SIZ250DT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR

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单价:

1+: ¥11.033845
10+: ¥9.882586
100+: ¥7.706707
500+: ¥6.366711
1000+: ¥5.026361
3000+: ¥5.026361

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