货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.035696 | ¥12.04 |
10 | ¥10.779905 | ¥107.80 |
100 | ¥8.406461 | ¥840.65 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen IV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A(Ta),38A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12.2 毫欧 @ 10A,10V,12.7 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 21nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 840pF @ 30V,790pF @ 30V |
功率 - 最大值: | 4.3W(Ta),33W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-PowerPair®(3.3x3.3) |
标准包装: | 3,000 |
SIZ250DT-T1-GE3
型号:SIZ250DT-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
库存:0
单价:
1+: | ¥12.035696 |
10+: | ¥10.779905 |
100+: | ¥8.406461 |
500+: | ¥6.944795 |
1000+: | ¥5.482744 |
3000+: | ¥5.482744 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.04