库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.509509 | ￥10.51 |
| 10 | ￥9.410684 | ￥94.11 |
| 100 | ￥7.334771 | ￥733.48 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 195 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 251pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 2.3W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 |
| 标准包装: | 4,000 |
IRFHM792TRPBF
型号：IRFHM792TRPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.509509 |
| 10+： | ￥9.410684 |
| 100+： | ￥7.334771 |
| 500+： | ￥6.059336 |
| 1000+： | ￥5.315258 |
| 4000+： | ￥5.31527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.51