IRF7342D2TRPBF

制造商编号:
IRF7342D2TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
规格说明书:
IRF7342D2TRPBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 690 pF @ 25 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 4,000

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IRF7342D2TRPBF

型号:IRF7342D2TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

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