IXFX64N60Q3

制造商编号:
IXFX64N60Q3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
规格说明书:
IXFX64N60Q3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 216.915358 216.92
10 200.065947 2000.66

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9930 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies ¥69.65000 类似
FCH104N60 Rochester Electronics, LLC ¥15.42944 类似
STW48N60M2 STMicroelectronics ¥61.59000 类似
STW48N60DM2 STMicroelectronics ¥85.78000 类似
SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor ¥95.07000 类似

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IXFX64N60Q3

型号:IXFX64N60Q3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

库存:0

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1+: ¥216.915358
10+: ¥200.065947

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单价:¥0.00总价:¥216.92