库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.34824 | ￥7.35 |
| 10 | ￥6.454266 | ￥64.54 |
| 100 | ￥4.948064 | ￥494.81 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | QFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.4 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 350 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.1W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装: | 4,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSP320SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | ¥3.20702 | 类似 |
| BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥6.83000 | 类似 |
FQT13N06LTF
型号：FQT13N06LTF
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.34824 |
| 10+： | ￥6.454266 |
| 100+： | ￥4.948064 |
| 500+： | ￥3.911477 |
| 1000+： | ￥3.129157 |
| 2000+： | ￥3.111401 |
| 4000+： | ￥3.111401 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.35