库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 剪切带（CT）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.8A（Ta），20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 99.9 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1380 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 400 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥11.90000 | 类似 |
IRFH5220TR2PBF
型号：IRFH5220TR2PBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
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货期：1-2天
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