库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.738039 | ￥25.74 |
| 10 | ￥23.101543 | ￥231.02 |
| 100 | ￥18.928059 | ￥1892.81 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSIV |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1800 pF @ 300 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 156W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 4-DFN-EP（8x8） |
| 封装/外壳: | 4-VSFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 2,500 |
TK20V60W5,LVQ
型号：TK20V60W5,LVQ
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥25.738039 |
| 10+： | ￥23.101543 |
| 100+： | ￥18.928059 |
| 500+： | ￥16.112742 |
| 1000+： | ￥13.589126 |
| 2500+： | ￥13.236157 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.74