- 制造商编号：
- IMW120R350M1HXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
- 规格说明书：
- IMW120R350M1HXKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥78.580162 | ￥78.58 |
| 10 | ￥70.94595 | ￥709.46 |
| 100 | ￥58.73979 | ￥5873.98 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolSiC™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V，18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 455 毫欧 @ 2A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.7V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 5.3 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值）: | +23V，-7V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 182 pF @ 800 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO247-3-41 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
IMW120R350M1HXKSA1
型号：IMW120R350M1HXKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥78.580162 |
| 10+： | ￥70.94595 |
| 100+： | ￥58.73979 |
| 500+： | ￥54.999648 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥78.58