IRFH8318TR2PBF

制造商编号:
IRFH8318TR2PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
规格说明书:
IRFH8318TR2PBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3180 pF @ 10 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 400

客服

购物车

IRFH8318TR2PBF

型号:IRFH8318TR2PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00