货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥9.076506 | ¥9.08 |
10 | ¥8.135285 | ¥81.35 |
100 | ¥6.341494 | ¥634.15 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A,3.7A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 3.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12.5nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 574pF @ 20V |
功率 - 最大值: | 1.5W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
DMHC4035LSD-13
型号:DMHC4035LSD-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥9.076506 |
10+: | ¥8.135285 |
100+: | ¥6.341494 |
500+: | ¥5.238736 |
1000+: | ¥4.135828 |
2500+: | ¥3.860139 |
5000+: | ¥3.759887 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.08