货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.7V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 50 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1500 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 3,800 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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DMP2038USS-13 | Diodes Incorporated | ¥3.84000 | 类似 |
IRF7404PBF
型号:IRF7404PBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00