IPA90R1K2C3XKSA2

制造商编号:
IPA90R1K2C3XKSA2
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
规格说明书:
IPA90R1K2C3XKSA2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
500 12.46038 6230.19

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 310µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 31W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 500

客服

购物车

IPA90R1K2C3XKSA2

型号:IPA90R1K2C3XKSA2

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220

库存:0

单价:

500+: ¥12.46038

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00