货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | ¥12.46038 | ¥6230.19 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 310µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 710 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 31W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO220-FP |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 500 |
IPA90R1K2C3XKSA2
型号:IPA90R1K2C3XKSA2
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
库存:0
单价:
500+: | ¥12.46038 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00