库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.325277 | ￥16.33 |
| 25 | ￥13.551597 | ￥338.79 |
| 100 | ￥13.46394 | ￥1346.39 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 110pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 3,300 |
TC6320TG-G
型号：TC6320TG-G
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
库存：0
单价：
| 1+： | ￥16.325277 |
| 25+： | ￥13.551597 |
| 100+： | ￥13.46394 |
| 3300+： | ￥13.46399 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.33