PMXB75UPEZ

制造商编号:
PMXB75UPEZ
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
规格说明书:
PMXB75UPEZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.103078 4.10
10 3.122069 31.22
100 1.947843 194.78

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 608 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 317mW(Ta),8.33W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN1010D-3
封装/外壳: 3-XDFN 裸露焊盘
标准包装: 5,000

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PMXB75UPEZ

型号:PMXB75UPEZ

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3

库存:0

单价:

1+: ¥4.103078
10+: ¥3.122069
100+: ¥1.947843
500+: ¥1.332605
1000+: ¥1.025135
2000+: ¥0.922633
5000+: ¥0.871357
10000+: ¥0.79448

货期:1-2天

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