库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.713073 | ￥28.71 |
| 10 | ￥25.814409 | ￥258.14 |
| 100 | ￥21.147253 | ￥2114.73 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 51A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 32 毫欧 @ 36A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 89 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2770 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.8W（Ta），230W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
IRFB52N15DPBF
型号：IRFB52N15DPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥28.713073 |
| 10+： | ￥25.814409 |
| 100+： | ￥21.147253 |
| 500+： | ￥18.074692 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.71