R6011END3TL1

制造商编号:
R6011END3TL1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
规格说明书:
R6011END3TL1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.244822 24.24
10 21.788424 217.88
100 17.515203 1751.52

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 390 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 670 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 124W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

客服

购物车

R6011END3TL1

型号:R6011END3TL1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO252

库存:0

单价:

1+: ¥24.244822
10+: ¥21.788424
100+: ¥17.515203
500+: ¥14.390687
1000+: ¥11.923642
2500+: ¥11.213453

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥24.24