STU11N65M2

制造商编号:
STU11N65M2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
规格说明书:
STU11N65M2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.382131 17.38
10 15.631484 156.31
100 12.562009 1256.20

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II Plus
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 670 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 410 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 85W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251(IPAK)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 75

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STU11N65M2

型号:STU11N65M2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

库存:0

单价:

1+: ¥17.382131
10+: ¥15.631484
100+: ¥12.562009
500+: ¥10.320833
1000+: ¥9.382596

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