货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥79.049291 | ¥79.05 |
10 | ¥71.368914 | ¥713.69 |
100 | ¥59.085897 | ¥5908.59 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ DM6 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 99 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.75V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 44 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1920 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 210W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
TK25N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥34.10000 | 类似 |
FCH125N60E | Rochester Electronics, LLC | ¥14.79186 | 类似 |
STW45N60DM6
型号:STW45N60DM6
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247
库存:0
单价:
1+: | ¥79.049291 |
10+: | ¥71.368914 |
100+: | ¥59.085897 |
500+: | ¥52.809303 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥79.05