STW45N60DM6

制造商编号:
STW45N60DM6
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
规格说明书:
STW45N60DM6说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 79.049291 79.05
10 71.368914 713.69
100 59.085897 5908.59

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ DM6
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 99 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1920 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 210W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ¥34.10000 类似
FCH125N60E Rochester Electronics, LLC ¥14.79186 类似

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STW45N60DM6

型号:STW45N60DM6

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥79.049291
10+: ¥71.368914
100+: ¥59.085897
500+: ¥52.809303

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