库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1000 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 50 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 100 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 4V @ 15V，25A |
| 功率 - 最大值: | 200 W |
| 开关能量: | 5mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 180 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 100ns/500ns |
| 测试条件: | 800V，25A，33 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 200 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-204AE |
| 供应商器件封装: | TO-204AE |
| 标准包装: | 20 |
IXGM25N100A
型号：IXGM25N100A
品牌：IXYS艾赛斯
描述：POWER MOSFET TO-3
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