DMN2020UFCL-7

制造商编号:
DMN2020UFCL-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
规格说明书:
DMN2020UFCL-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.202547 4.20
10 3.570921 35.71
100 2.667995 266.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1788 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 610mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X1-DFN1616-6(E 类)
封装/外壳: 6-PowerUFDFN
标准包装: 3,000

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DMN2020UFCL-7

型号:DMN2020UFCL-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

库存:0

单价:

1+: ¥4.202547
10+: ¥3.570921
100+: ¥2.667995
500+: ¥2.096001
1000+: ¥1.619597
3000+: ¥1.476673
6000+: ¥1.381407

货期:1-2天

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