SP8M8FD5TB1

制造商编号:
SP8M8FD5TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
规格说明书:
SP8M8FD5TB1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30毫欧 @ 6A,10V,56毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.2nC @ 5V,8.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 520pF @ 10V,850pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

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SP8M8FD5TB1

型号:SP8M8FD5TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

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