货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.960994 | ¥4.96 |
10 | ¥4.04837 | ¥40.48 |
100 | ¥2.755776 | ¥275.58 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSVII |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9.1 毫欧 @ 4A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 47 nC @ 4.5 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3350 pF @ 6 V |
FET 功能: | - |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 6-UDFNB(2x2) |
封装/外壳: | 6-WDFN 裸露焊盘 |
标准包装: | 3,000 |
SSM6J511NU,LF
型号:SSM6J511NU,LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
库存:0
单价:
1+: | ¥4.960994 |
10+: | ¥4.04837 |
100+: | ¥2.755776 |
500+: | ¥2.067156 |
1000+: | ¥1.550367 |
3000+: | ¥1.421169 |
6000+: | ¥1.335042 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.96