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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 60 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 230 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2780 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.1W（Ta），170W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D2PAK |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRF9510STRLPBF | Vishay Siliconix | ¥13.67000 | 类似 |
| FQB1P50TM | onsemi | ¥11.83000 | 类似 |
| MTB50P03HDLT4G | onsemi | ¥36.09000 | 类似 |
| RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | ¥22.35000 | 类似 |
| NTB25P06T4G | onsemi | ¥18.97000 | 类似 |
IRF5210SPBF
型号：IRF5210SPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
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货期：1-2天
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