FDI038AN06A0

制造商编号:
FDI038AN06A0
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
规格说明书:
FDI038AN06A0说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
800 33.894757 27115.81

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 124 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK(TO-262)
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDI030N06 onsemi ¥39.93000 类似

客服

购物车

FDI038AN06A0

型号:FDI038AN06A0

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK

库存:0

单价:

800+: ¥33.894757

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00