JANS1N3595US

制造商编号:
JANS1N3595US
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 200MA DO35
规格说明书:
JANS1N3595US说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 988.680368 988.68

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-S-19500-241
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 nA @ 125 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,B
供应商器件封装: B,SQ-MELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
标准包装: 1

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JANS1N3595US

型号:JANS1N3595US

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 200MA DO35

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