- 制造商编号：
- IPB60R190C6ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
- 规格说明书：
- IPB60R190C6ATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.113842 | ￥37.11 |
| 10 | ￥33.30101 | ￥333.01 |
| 100 | ￥27.281181 | ￥2728.12 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 190 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 630µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1400 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 151W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-3 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB21N65M5 | STMicroelectronics | ¥42.32000 | 类似 |
| STB30N80K5 | STMicroelectronics | ¥64.05000 | 类似 |
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥21.73000 | 类似 |
| STB20N65M5 | STMicroelectronics | ¥27.80000 | 类似 |
| FCB199N65S3 | onsemi | ¥20.58000 | 类似 |
IPB60R190C6ATMA1
型号：IPB60R190C6ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥37.113842 |
| 10+： | ￥33.30101 |
| 100+： | ￥27.281181 |
| 500+： | ￥23.317341 |
| 1000+： | ￥23.317352 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.11