SIZ988DT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ988DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
规格说明书:
SIZ988DT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.729159 11.73
10 10.514069 105.14
100 8.194682 819.47

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc),60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 @ 10A,10V,4.1 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA,2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.5nC @ 4.5V,23.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000pF @ 15V,2425pF @ 15V
功率 - 最大值: 20.2W,40W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-PowerPair®
标准包装: 3,000

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SIZ988DT-T1-GE3

型号:SIZ988DT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

库存:0

单价:

1+: ¥11.729159
10+: ¥10.514069
100+: ¥8.194682
500+: ¥6.769515
1000+: ¥5.344359
3000+: ¥5.344359

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