- 制造商编号：
- APT45GR65B2DU30
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 描述：
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 规格说明书：
- APT45GR65B2DU30说明书
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货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 118 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 224 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.4V @ 15V，45A |
| 功率 - 最大值: | 543 W |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 203 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 15ns/100ns |
| 测试条件: | 433V，45A，4.3 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 80 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | T-MAX™ [B2] |
| 标准包装: | 30 |
APT45GR65B2DU30
型号：APT45GR65B2DU30
品牌：Microsemi美高森美
描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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