APT11GF120BRDQ1G

制造商编号:
APT11GF120BRDQ1G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT 1200V 25A 156W TO247
规格说明书:
APT11GF120BRDQ1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 25 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3V @ 15V,8A
功率 - 最大值: 156 W
开关能量: 300µJ(开),285µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 65 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/100ns
测试条件: 800V,8A,10 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247 [B]
标准包装: 30

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APT11GF120BRDQ1G

型号:APT11GF120BRDQ1G

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT 1200V 25A 156W TO247

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